Caractéristiques du carbure de silicium
Les matériaux en carbure de silicium, également appelés carborundum, sont largement utilisés dans les roulements à billes en céramique, les vannes, les matériaux semi-conducteurs, les gyroscopes, les instruments de mesure, l'aérospatiale et d'autres domaines, et sont devenus un matériau irremplaçable dans de nombreux domaines industriels.
Le carbure de silicium est un super-réseau naturel et un polymorphe homogène typique. Étant donné que la différence entre les séquences d'empilement de couches diatomiques Si et C conduit à des structures cristallines différentes, il existe plus de 200 polytypes homogènes (actuellement connus). Par conséquent, le SiC est très approprié pour une utilisation en tant que nouvelle génération de matériaux de substrat de diode électroluminescente (LED), des matériaux électroniques de puissance élevée.
Propriété physique
Haute dureté-3000 kg / mm2, peut couper le rubis
Haute résistance à l'usure, juste derrière le diamant
La conductivité thermique est 3 fois de Sic et 8-10 fois de GaAs,
La stabilité thermique du SIC est élevée, impossible à fondre à la pression atmosphérique.
Bonnes performances de dissipation thermique, très importantes pour les appareils haute puissance
Bonne résistance à la corrosion et peut résister à presque tous les agents corrosifs connus à température ambiante.
La surface du sic est facile à oxyder pour former une fine couche de SIO2, qui empêche une oxydation supplémentaire
Lorsque la température est supérieure à 1700 degrés, le film d'oxyde fond et s'oxyde rapidement
La bande interdite de 4-sic et 6h sic est environ 3 fois de Si, 2 fois de GaAs, l'intensité du champ électrique de claquage est plus élevée que Si d'un ordre de grandeur, et la vitesse de dérive des électrons saturés est de 2,5 fois de Si, la bande l'espace de 4H SiC est plus large que 6h SiC.
